Абстрактный

Semiconductor diodes for measurement of low temperatures

S.B.Ota, Smita Ota


The forward voltage of Si and GaAlAs diodes have been studied in the temperature range 10-300 K and for various current values (10 nA to 0.5 mA). The temperature sensitivity of these diodes have been obtained. Flicker 1/f noise has been observed in the GaAlAs diode. Possible use of GaAlAs diode for measurement of mK temperatures has been suggested. For Si diode the ‘reduced’ forward voltage at T=0 is found to be 1.0 V.


Индексировано в

  • КАСС
  • Google Scholar
  • Открыть J-ворота
  • Национальная инфраструктура знаний Китая (CNKI)
  • CiteFactor
  • Космос ЕСЛИ
  • Библиотека электронных журналов
  • Каталог индексирования исследовательских журналов (DRJI)
  • Секретные лаборатории поисковых систем
  • ICMJE

Посмотреть больше

Индекс Хирша журнала

Flyer