Абстрактный

Observation of flicker 1/f noise in YBa2Cu3O7 and GaAlAs diode

S.B.Ota, Smita Ota


Polycrystalline YBa2Cu3O7-x near TC (70-95 K) and GaAlAs semiconductor diode in the temperature range 50-300 K has been studied. The measured dc voltages in these systems show fluctuations and the standard deviations of the voltage values show the statistics of flicker 1/f noise. In YBa2Cu3O7-x the measured dc voltages showed increased noise near TC which is possibly related to the 1/f noise due to the motion of vortex lattice. The 1/f noise in GaAlAS diode is found to be temperature independent but current dependent. It is found to increase with decrease in forward current below 0.01 mA.


Отказ от ответственности: Этот реферат был переведен с помощью инструментов искусственного интеллекта и еще не прошел проверку или верификацию

Индексировано в

  • КАСС
  • Google Scholar
  • Открыть J-ворота
  • Национальная инфраструктура знаний Китая (CNKI)
  • CiteFactor
  • Космос ЕСЛИ
  • Библиотека электронных журналов
  • Каталог индексирования исследовательских журналов (DRJI)
  • Секретные лаборатории поисковых систем
  • ICMJE

Посмотреть больше

Индекс Хирша журнала

Flyer