Абстрактный

Calibration of GaAlAs semiconductor diode for temperatures between 10-300 K

S.B.Ota, Smita Ota


The forward voltage of GaAlAs semiconductor diode has been measured for temperatures between 10-300 K and for current values between 10 nA and 450 A. The forward voltage as a function of temperature is least-squares fitted in two temperature ranges 10-22 K and 50-300 K. The coefficients are given for 2nd  order polynomials.


Отказ от ответственности: Этот реферат был переведен с помощью инструментов искусственного интеллекта и еще не прошел проверку или верификацию

Индексировано в

  • КАСС
  • Google Scholar
  • Открыть J-ворота
  • Национальная инфраструктура знаний Китая (CNKI)
  • CiteFactor
  • Космос ЕСЛИ
  • Библиотека электронных журналов
  • Каталог индексирования исследовательских журналов (DRJI)
  • Секретные лаборатории поисковых систем
  • ICMJE

Посмотреть больше

Индекс Хирша журнала

Flyer