Абстрактный

Calibration of cryogenic Si diode for temperatures between 30-210 K

S.B.Ota


The variation of forward voltage with temperature of a cryogenic silicon diode of CRYO Industries of America Inc. Model No. DT-470-SD-13 is measured in the temperature range 30-210 K and for current values between 10 nA and 200 A. The characteristic is least squres fitten by a 1st order polynomial and the coefficients are given. The least squares fitting has high temperature root between 420 K and 625 K.


Индексировано в

  • КАСС
  • Google Scholar
  • Открыть J-ворота
  • Национальная инфраструктура знаний Китая (CNKI)
  • CiteFactor
  • Космос ЕСЛИ
  • Библиотека электронных журналов
  • Каталог индексирования исследовательских журналов (DRJI)
  • Секретные лаборатории поисковых систем
  • ICMJE

Посмотреть больше

Индекс Хирша журнала

Flyer